发布时间：2023年08月21日 08:42
点击：专利名称：一种单层阻变膜忆阻器的制备方法
申请号： CN201711221188.2
发明人： 窦刚;郭梅;李玉霞
摘要：
本发明公开了一种单层阻变膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理，在现有技术的基础上，从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手，通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用金属阳离子化合价更高、纳米陶瓷烧结温度更低的原料，结合采用更低的煅烧温度，以将其控制成一种不完全的“烧结”，进而大幅增加其内部晶格缺陷和空穴等系列技术手段，简化了制备工艺、缩短了工艺流程、提高了生产效率，并降低了生产能耗和生产制造成本；同时大幅提升了忆阻器的忆阻性能和成品率。
科技园区
学校首页
今天是：
智能制造类
当前位置:
友情链接：