专利名称：一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器

申请号：  CN202210412902.0

发明人：  李玉霞;袁方;张鹏;邓玥;于相成

摘要：

      本发明涉及微电子材料与半导体器件技术领域，具体涉及一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器。该忆阻器自下而上依次设置为衬底、底电极、第一功能层、第二功能层和顶电极；所述第一功能层和第二功能层为纳米堆叠结构薄膜材料，其中，第一功能层的材料采用HfO薄膜，第二功能层的材料采用Cu掺杂的TiO薄膜。本发明中第一功能层HfO薄膜材料获取简单，易于实现，并且具有高开关比，第二功能层TiO薄膜中掺入Cu可以加快导电细丝的生成速率，增强导电细丝的稳定性，从而增大忆阻器的开关比，进而实现双功能层提高忆阻器的稳定性、增大忆阻器的开关比，对新一代存储器的研究具有重要意义。