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一种IIDG高度渗透的小电阻接地系统单相接地故障分析方法

发布时间:2023年08月23日 10:57点击:

专利名称:一种IIDG高度渗透的小电阻接地系统单相接地故障分析方法

申请号:  CN202010302516.7

发明人:  吴娜;刘子晖;樊淑娴;董龙景;杨征贤;周成祥

摘要:

      本发明公开了一种IIDG高度渗透的小电阻接地系统单相接地故障分析方法,属于电力系统继电保护领域。本发明根据IIDG(Inverterinterfaced Distributed Generators,逆变型分布式电源)并网控制策略与低压穿越技术要求确定IIDG等效模型,综合运行安全和保护原则确立其并网方式,并建立多IIDG并网系统的等效零序网络,结合人身安全和保护需求选取合适的IIDG并网接地电阻值;分析IIDG高度渗透的小电阻接地配电网单相接地故障时零序电流幅值与相位特性,讨论高阻接地故障特征。